美國LED大廠Cree向美國專利商標(biāo)局(USPTO)申請的20080272386號專利，已于11月公開，內(nèi)容是使用激光剝削或切削(laserablationorsawing)技術(shù)直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋轉(zhuǎn)涂布法將半導(dǎo)體納米晶體或熒光粉等熒光材料填入凹槽中，在凹槽間形成一個凸面橋，這個方法可以讓白光LED變得更小、更容易制造。
　　這些熒光填充物能把SiC基板上的GaNLED所發(fā)出的窄頻域藍光，轉(zhuǎn)換成寬帶譜的白光。專利發(fā)明人PeterAndrews指出，與目前將LED置于杯狀基座(submount)中并以光轉(zhuǎn)換材料封裝的技術(shù)相比，在基板上刻蝕出凹槽是一大進展，因為前者會限制白光LED的最小尺寸。為了協(xié)助光脫離LED，廠商會改變基座的形狀并提高其反射率，而Cree的凹槽設(shè)計也有提高光萃取率的作用。
　　Andrews指出，除了傳統(tǒng)LED使用的熒光粉外，在凹槽中引進硒化鎘(CdSe)等半導(dǎo)體納米微晶，也有助于控制發(fā)光波長。Cree建議以噴墨(inkjet)印刷、網(wǎng)印(screenprinting)與噴槍(airbrush)應(yīng)用系統(tǒng)取代常見的旋涂法，將這類新穎材料填入凹槽中。
　　盡管采用新的波長轉(zhuǎn)換材料并增加了凹槽設(shè)計，LED裸晶仍保有傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)電極結(jié)構(gòu)，因此可繼續(xù)封裝成LED，或直接那來使用，例如直接被固定在電路板或基板上作應(yīng)用。
　　Cree在11月宣布，大小為1mm×1mm高功率白光LED的發(fā)光效率可高達161lm/W。對于這項新記錄，Cree表示這是晶粒與封裝技術(shù)提升的結(jié)果。該公司表示，他們即將生產(chǎn)這種具有紀(jì)錄優(yōu)勢的LED，將持續(xù)在生產(chǎn)過程中導(dǎo)入創(chuàng)新技術(shù)，預(yù)期一年內(nèi)將開始量產(chǎn)這種高效能的LED。