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紫外線平版印刷術助AMD&IBM取得新突破

2008-02-29 00:00 來源:新浪 責編:尤思佳

AMD于2月27日宣布,在合作伙伴IBM的幫助下,他們已經取得了45nm制造工藝的關鍵性突破,為進軍16nm技術乃至更小尺寸工藝奠定了堅實基礎。

AMD和IBM成功使用全場(Full-Field)極端遠紫外線(EUV)平版印刷術制造了一顆45nm工藝試驗性芯片,尺寸22×33毫米。此前使用EUV技術生產的芯片部件都是“窄場”(Narrow-Field)的,只設計整個芯片的一部分,而AMD和IBM將其延伸到了芯片上的全部區域,整個第一層金屬互聯層都使用了這種技術。

AMD是在德國德累斯頓Fab 36晶圓廠使用193nm沉浸平版印刷術制造這顆芯片的,隨后將其運往IBM在紐約首府奧爾巴尼納米科學與工程學院的研究工廠,使用荷蘭光刻設備供應商ASML Holding NV的一臺13.5nm EUV平版印刷掃描儀蝕刻了芯片晶體管之間的第一層金屬互聯層,最終完成了這顆芯片。

AMD稱,試驗芯片內部晶體管的“特性與只使用193nm沉浸平版印刷術制造的芯片完全一致”。

最近二十年來,業界一直認為EUV平版印刷術是最有希望的下一代微芯片生產工藝。早在1997年,Intel、AMD、摩托羅拉就聯合成立了一家名為“EUV Limited Liability Corporation”的公司,試圖在100nm工藝水平上取代深紫外線(DUV),但后者近來不斷進步,已經可以在45nm工藝上大規模量產了,并普遍被認為能延續到22nm。

當然,DUV技術早晚都會走到盡頭,向EUV的轉換可能會出現在16nm工藝上,時間大概是2013年左右

AMD稱,要想將EUV平版印刷術投入實際生產,必須將這種技術擴展到整個微處理器的所有關鍵層上,而不僅限于金屬互聯層。AMD認為,EUV平版印刷術必須在2016年之前獲得投產認證,因為屆時將到達22nm工藝極限。

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